개발자꿈나무

10진 연산 언팩(Unpacked) 연산 - 존(zone) 4비트 + 숫자(digit) 4비트를 사용하여 10진수 한 자리를 한 바이트로 표현 - 최하위 바이트의 존 부분을 부호로 사용하여 양수면 16진수 C(1100), 음수면 16진수 D(1101)을 사용 - 입출력 데이터로 사용하고 연산용 데이터롤 사용할 수 없음 - 부호가 없는 숫자는 존 부분에 16진수 F(1111) 사용 팩(Packed) 연산 - 10진수 한 자리를 숫자(digit) 4비트로 표현하는 방식으로 1바이트에 2개의 숫자를 표현 - 최하위 바이트의 4bit를 부호로 사용하며 양수면 16진수 C(1100), 음수면 16진수 D(1101)을 사용 - 연산용 데이터로 사용하고 입출력 데이터로 사용할 수 없음 더보기 Q. 10진수 -456을..

병렬처리 병렬처리의 개념 - 여러 개의 프로세서를 장착한 컴퓨터에서 실행될 수 있는 처리방식 - 하나의 프로그램에서 서로 다른 태스크를 동시에 처리할 수 있음 - 처리 부하를 분담하고 처리 속도를 향상시킴 - 프로그램 분할, 스케줄링, 동기화 등의 새로운 문제점이 발생 병렬 컴퓨터의 분류 * 플린의 분류 용어 제어장치 : 명령어를 인출하고 해독하여 제어신호를 만듦 처리장치 : 제어장치에서 만들어진 제어신호에 근거하여 처리할 데이터와 주소 등의 오퍼랜드를 인출하고 명령어를 수행하는 장치 명령어 스트림 : 순서대로 나열한 명령어 코드들의 집합 데이터 스트림 : 명령어들을 실행하는 데 필요한 순서대로 나열된 데이터의 집합 SISD (Single Instruction stream Single Data strea..

입출력장치 입출력장치 - 컴퓨터의 CPU가 외부에서 정보를 받아들이는 과정을 입력, 외부 정보를 받아들이는 장치를 입력장치라고 함 - 컴퓨터의 CPU가 외부로 정보를 내보내는 과정을 출력, 정보를 내보내는 장치를 출력장치라고 함 입출력 장치의 동작 - 중앙처리장치 또는 주기억장치와 외부의 입출력 매체 사이에 정보를 전송 - 중앙처리장치 또는 주기억장치에 비해 동작 속도가 매우 느림 - 중앙처리장치 또는 주기억장치와 정보를 처리하는 단위가 다름 - 에러가 발생할 확률이 매우 높음 - 각각의 동작에 대해 자율성을 보장할 수 있음 입출력 모듈 입출력 모듈 - 입출력 장치는 종류가 다양하므로 전송 데이터 길이, 전송 데이터 형식, 전송 속도 등이 서로 다르기에 이를 제어하는 장치를 입출력 모듈 (I/O modu..

가상 메모리(Virtual Memory) 가상메모리 - 보조기억장치의 전체 또는 부분을 마치 주기억장치처럼 사용하여 주기억장치공간의 제한된 용량을 극복하는 목적을 가진 메모리 - 멀티태스킹 운영 체제에서 흔히 사용되며, 실제 주기억장치보다 큰 메모리 영역을 제공하는 방법으로도 사용 - 사용자와 논리적 주소를 물리적으로 분리하여 사용자가 주기억장치 용량을 초과한 프로세스에 주소를 지정해서 주기억장치를 제한 없이 사용할 수 있도록 함 - 중첩을 고려하여 프로그래밍할 필요가 없으므로 프로그래밍이 쉬움 - 프로세서의 이용률과 처리율을 향상시킬 수 있으나 응답시간이나 반환시간은 향상되지 않음 * 가상기억장치와 주기억장치 간 이동 단위 - Paging : 블록사이즈가 고정된 방식으로 사용자가 작성한 프로그램은 기계..

캐시 메모리의 동작 원리 캐시 기억장치가 없는 시스템 ☞ 중앙처리장치는 명령어를 실행할 때마다 주기억장치에 직접 접근하여 명령어와 필요한 정보를 얻게됨 캐시 기억장치가 있는 시스템 ☞ 중앙처리장치가 기억장치를 참조할 때 주기억장치를 먼저 조사하지 않고 캐시 기억장치를 먼저 조사 - 캐시 기억장치에 접근하여 그 내용을 찾았을 때 적중(hit), 찾지 못했을 경우 실패(miss)라고 함 - 캐시 기억장치에 중앙처리장치가 요구하는 정보가 없을 경우, 주기억장치로부터 필요한 정보를 획득하여 캐시 기억장치에 전송(블록 단위)하고, 캐시 기억장치는 얻어진 정보를 다시 중앙처리장치로 전송(워드 단위) 주기억장치와 캐시 기억장치 사이에서의 평균 기억장치 접근 시간 Taverage = Hhiratio * Tcache +..

기억장치 계층 구조 - 상위 계층으로 갈수록 용량은 작아지고 접근 속도와 비트 당 가격은 높아짐 - 하위 계층으로 갈수록 용량은 커지고 속도와 가격은 낮아짐 * 기억장치 속도 순서 : 레지스터 > L1캐시 > L2캐시 > 주기억장치 > 보조기억장치 임의 접근 기억장치 (Random Access Memory : RAM) - 전원 공급이 중단되면 기억장치에 기록된 모든 데이터가 지워지는 휘발성을 가짐 동적 RAM(DRAM) - 충전기 캐패시터(capacitor)에 전하를 저장하는 방식으로 2진 데이터를 저장 - 캐패시터에 충전된 전하는 시간이 지남에 따라 조금씩 방전되므로 결국 기억된 정보를 잃게 되므로 재충전을 위한 제어회로를 탑재 - 1비트 DRAM 셀은 트랜지스터 하나만을 포함하므로 집적도가 높고 비용..